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ADL8104 是一款砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带高线性度放大器，工作范围为 0.4 GHz 至 7.5 GHz。
ADL8104 在 0.6 GHz 到 6 GHz 时的典型增益为 15 dB，在 0.4 GHz 到 6 GHz 时的典型噪声系数为 3.5 dB，在 0.6 GHz 到 6 GHz 时的典型输出功率为 1 dB 压缩的 (OP1dB) 20 dBm， 在 0.6 GHz 到 6 GHz 时的典型三阶截取输出 (OIP3) 为 32 dBm，漏极电源为 5 V 时的电流仅为 150 mA。该低噪声放大器在 0.6 GHz 到 6 GHz 时具有典型值为 52 dBm 的高输出二阶截距 (OIP2)，使得 ADL8104 适合应用于军事和测试仪器。
ADL8104 还具有内部匹配至 50 Ω 的输入和输出特性。RFIN 和 RFOUT 引脚内部交流耦合，并集成了偏置电感器，使得 ADL8104 非常适合基于表面贴装技术 (SMT)、高密度的应用。
ADL8104 采用符合 RoHS 指令的 3 mm × 3 mm 16 引脚 LFCSP 封装。
优势和特点
单一正电源（自偏置）
高 OIP2：0.6 GHz 到 7.5 GHz 时为 52 dBm（典型值）
高增益：0.6 GHz 到 6 GHz 范围内为 15 dB（典型值）
高 OIP3：32 dBm（典型值）
低噪声指数：0.4 GHz 到 6 GHz 范围内为 3.5 dB（典型值）
兼容 RoHS 的 16 引脚 3 mm × 3 mm LFCSP
应用
测试仪器仪表
军事通信
eval-ADL8104
评估套件
ADL8104-evalZ 由采用 10 mil 厚的 Rogers 4350B 和 Isola 370HR 铜箔制成的 4 层印制电路板 (PCB) 组成，形成 62 mil 的标称厚度。ADL8104-evalZ 上的 RFIN 和 RFOUT 端口由 3.5 mm 母头同轴连接器填充，其各自的射频回溯都有 50 Ω 特性阻抗。ADL8104-evalZ 装有适合在 ADL8104 的整个 -40°C 至 + 85°C 工作温度范围内使用的组件。为校准板的回溯损耗，J1 和 J2 连接器之间提供一个直通校准路径。J1 和 J2 必须安装 RF 连接器，才能使用该直通校准路径。有关直通校准路径的性能，请参阅用户手册中的表 1 和图 3。
访问 ADL8104-evalZ 的接地路径和 VDD 引脚需要通过表面贴装技术 (SMT) 测试点连接器 GND and VDD。随附用于 VBIAS 的补充测试点，可轻松访问 RBIAS 引脚（测试点组件见用户手册测试点小节的图 5）。
ADL8104-evalZ 上的 RF 回溯为 50 Ω，接地共勉波导迹线。封装接地引线和裸焊盘直接连接到接地平面。多个导通孔连接顶部和底部接地平面，并特别关注接地焊盘正下方的区域，以便为散热器提供充分的导电性和导热性。
ADL8104-evalZ 上的电源去耦电容器代表了用于表征和评定套件的配置。
有关 ADL8104 的完整详细信息，请参阅 ADL8104 数据手册，在使用 ADL8104-evalZ 时，必须同时参阅该数据手册和本用户指南。